许居衍   微电子技术专家。1934年出生，籍贯福建福州。1957年毕业于厦门大学。1995年当选为中国工程院院士。中国电子科技集团第五十八研究所研究员。曾任中国华晶电子集团公司总工程师。

        长期从事半导体技术与微电子工业的开发工作。60年代初研制成功中国第一代单片硅平面集成电路。相继提出并研制成功高速发射极分流限制饱和逻辑电路、集成注入肖特基逻辑电路等创新结构。70年代筹建大规模集成电路新工艺，主持研究成功离子注入新工艺和计算机辅助制版系统，为成功研制4096位动态随机存储器等多种大规模集成电路开辟了新的技术基础。80年代，探索科研与生产结合新模式，促成无锡微电子科研生产联合企业的建立，为南方微电子基地的发展做出贡献。曾获全国科学大会奖、国家科技进步奖等。主要论文有《硅次掺杂层的平均载流子迁移率》、《集成注入肖特基逻辑》等。